EMT1FHA Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMT1FHA

Código: T1

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: EMT6

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EMT1FHA datasheet

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EMT1FHA

EMT1 / UMT1N / IMT1A EMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRA Transistors AEC-Q101 Qualified General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) EMT1 / UMT1N / IMT1A EMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRA Dimensions (Unit mm) Features 1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT 2SA1037AKFRA EMT1FHA EMT1 package. (6) (5) (4) 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automati

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EMT1FHA

EMT1 / UMT1N / IMT1A EMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRA Transistors AEC-Q101 Qualified General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) EMT1 / UMT1N / IMT1A EMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRA Dimensions (Unit mm) Features 1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT 2SA1037AKFRA EMT1FHA EMT1 package. (6) (5) (4) 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automati

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