EMT1FHA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMT1FHA

Маркировка: T1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: EMT6

 Аналоги (замена) для EMT1FHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMT1FHA даташит

 ..1. Size:951K  rohm
 emt1fha umt1nfha imt1afra.pdf pdf_icon

EMT1FHA

EMT1 / UMT1N / IMT1A EMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRA Transistors AEC-Q101 Qualified General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) EMT1 / UMT1N / IMT1A EMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRA Dimensions (Unit mm) Features 1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT 2SA1037AKFRA EMT1FHA EMT1 package. (6) (5) (4) 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automati

 ..2. Size:951K  rohm
 emt1fha.pdf pdf_icon

EMT1FHA

EMT1 / UMT1N / IMT1A EMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRA Transistors AEC-Q101 Qualified General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) EMT1 / UMT1N / IMT1A EMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRA Dimensions (Unit mm) Features 1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT 2SA1037AKFRA EMT1FHA EMT1 package. (6) (5) (4) 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automati

Другие транзисторы: E13005-250, E13005D-213, ECH8502-TL-H, ECH8503-TL-H, EML22, EMT18, EMT1DXV6T1G, EMT1DXV6T5G, BD135, EMT2, EMT2FHA, EMT3, EMT3FHA, L2SA1577QT1G, L2SA1577RT1G, L2SA2030M3T5G, L2SC3837QLT1G