Биполярный транзистор EMT1FHA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EMT1FHA
Маркировка: T1
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: EMT6
EMT1FHA Datasheet (PDF)
emt1fha umt1nfha imt1afra.pdf
EMT1 / UMT1N / IMT1AEMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRATransistors AEC-Q101 QualifiedGeneral Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) EMT1 / UMT1N / IMT1A EMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRA Dimensions (Unit : mm) Features 1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT 2SA1037AKFRAEMT1FHAEMT1 package. (6) (5) (4)2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automati
emt1fha.pdf
EMT1 / UMT1N / IMT1AEMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRATransistors AEC-Q101 QualifiedGeneral Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) EMT1 / UMT1N / IMT1A EMT1FHA / UMT1NFHA / IMT1AFRA Dimensions (Unit : mm) Features 1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT 2SA1037AKFRAEMT1FHAEMT1 package. (6) (5) (4)2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automati
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050