KSE772 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSE772
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 55 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de KSE772
KSE772 Datasheet (PDF)
kse772.pdf

KSE772 SEMIHOW REV.A1,Sept 2007KSE772KSE772Audio Frequency Power Amplifier- Low Speed Switching- Complement to KSE8823 AmperesPNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted1.2 WattsCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNITSOT-891. Base2. CollectorCollector-Base Voltage VCBO -40 V3. EmitterCollector-Emitter Voltage VCEO -3
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: BC112G | KT9149B | PDTA123JT | KSH122 | AVF150 | PDTB123ET | KSH5027AF
History: BC112G | KT9149B | PDTA123JT | KSH122 | AVF150 | PDTB123ET | KSH5027AF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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