MG6330 Todos los transistores

 

MG6330 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG6330
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 230 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 230 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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MG6330 Datasheet (PDF)

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MG6330

SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR MG6330, MG6330-R TO-3P Plastic Package Complimentary PNP MG9410 Designed specifically for audio power amplifier applications High Current audio bipolar with wide Safe Operating Area ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG6330 MG6330-R VCBO Collector Base Voltage 230V 260V VCEO Colle

 9.1. Size:582K  semelab
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MG6330

SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR MG6331, MG6331-R TO-3P Plastic Package Complimentary PNP MG9411 Designed specifically for audio power amplifier applications Highest Current audio bipolar available on the market with widest Safe Operating Area in TO-3P package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG6331 MG6331-R VCBO Col

Otros transistores... MD7003B , MD708B , MD918A , MD918AF , MD918AFHXV , MD918B , MD918BF , MD918HX , BC556 , MG6330-R , MG6331 , MG6331-R , MG9410 , MG9410-R , MG9411 , MG9411-R , MHQ2369AHXV .

 

 
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