MG6330 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG6330
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
Tensión colector-base (Vcb): 230 V
Tensión colector-emisor (Vce): 230 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MG6330
MG6330 Datasheet (PDF)
mg6330-r.pdf
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR MG6330, MG6330-R TO-3P Plastic Package Complimentary PNP MG9410 Designed specifically for audio power amplifier applications High Current audio bipolar with wide Safe Operating Area ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG6330 MG6330-R VCBO Collector Base Voltage 230V 260V VCEO Colle
mg6331-r.pdf
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR MG6331, MG6331-R TO-3P Plastic Package Complimentary PNP MG9411 Designed specifically for audio power amplifier applications Highest Current audio bipolar available on the market with widest Safe Operating Area in TO-3P package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG6331 MG6331-R VCBO Col
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
