US5L12 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: US5L12 📄📄
Código: L12
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 320 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 270
Encapsulados: TUMT5
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US5L12 datasheet
us5l12.pdf
US5L12 Transistors General purpose transistor (isolated transistor and diode) US5L12 A 2SD2675 and a RB461F are housed independently in a TUMT5 package. External dimensions (Unit mm) Applications DC / DC converter (4) (3) Motor driver (2) (5) (1) 0.2 1.7 0.2 1pin mark 2.1 Features 1) Tr Low VCE(sat) Di Low VF 0.15Max. 2) Small package ROHM TUMT5 Abbr
us5l10.pdf
US5L10 Transistors General purpose transistor (isolated transistor and diode) US5L10 A 2SD2674 and a RB461F are housed independently in a TUMT5 package. Dimensions (Unit mm) Applications DC / DC converter Motor driver 2.0 1.3 Features 1) Tr Low VCE(sat) Di Low VF 2) Small package ROHM TUMT5 Abbreviated symbol L10 Structure Silicon epitaxial planar trans
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: NSS20601CF8 | BFW45 | AT275 | 2SC4679 | AUY29 | 2N6353 | MUN2134T1G
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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