LJ2015-52 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LJ2015-52 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 500
Encapsulados: TO-220
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LJ2015-52 datasheet
lj2015-52.pdf
LJ2015-52 FD75C NPN P T =25 75 W CM C I 10 A CM T 150 jm T -55 150 stg V I 2mA 50 V (BR)CBO CB V I 2mA 50 V (BR)CEO CE I V =20V 2 mA CBO CB I V =20V 2 mA CEO EB V 2.5 V BEsat I =5A C I =0.5A B
cs7456 lj2015-53.pdf
LJ2015-53 CS7456DP N P T =25 1.9 W D A I V =10V,T =25 5.7 A D GS A I 40 A DM V 20 V GS T +150 jm T -55 +150 stg R 65 thJA /W R 1.8 thJC BV V =0V,I =0.25mA 100 V DSS GS D V =10V,I =9.3A 0.025
Otros transistores... GSTMMBT5401, GSTS772, GSTS882, GSTS9014LT1, GSTSS8050, GSTSS8050LT1, LH8050PLT1G, LH8550PLT1G, B772, LMBT6429LT1G, LMBTA06UT1G, LMBTA06WT1G, LMBTA43LT1G, LMBTA56WT1G, LMSD1819A-RT1G, LS301, LS302
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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