LJ2015-52 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LJ2015-52
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de LJ2015-52
LJ2015-52 Datasheet (PDF)
lj2015-52.pdf

LJ2015-52FD75C NPN P T =25 75 WCM CI 10 ACMT 150 jmT -55~150 stgV I 2mA 50 V(BR)CBO CBV I 2mA 50 V(BR)CEO CEI V =20V 2 mACBO CBI V =20V 2 mACEO EBV 2.5 VBEsatI =5ACI =0.5AB
cs7456 lj2015-53.pdf

LJ2015-53CS7456DP N P T =25 1.9 WD AI V =10V,T =25 5.7 AD GS AI 40 ADMV 20 VGST +150 jmT -55 +150 stgR 65thJA /WR 1.8thJCBV V =0V,I =0.25mA 100 VDSS GS DV =10V,I =9.3A 0.025
Otros transistores... GSTMMBT5401 , GSTS772 , GSTS882 , GSTS9014LT1 , GSTSS8050 , GSTSS8050LT1 , LH8050PLT1G , LH8550PLT1G , 2SC2655 , LMBT6429LT1G , LMBTA06UT1G , LMBTA06WT1G , LMBTA43LT1G , LMBTA56WT1G , LMSD1819A-RT1G , LS301 , LS302 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188