MJ3055 Todos los transistores

 

MJ3055 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MJ3055
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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MJ3055 datasheet

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MJ3055

MJ3055 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 60V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
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MJ3055

isc Silicon NPN Power Transistor MJ3055 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h =20-70@I = 4A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.1 V(Max)@ I = 4A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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