DDA122TH . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DDA122TH
   Código: P83
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 0.22 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-563

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DDA122TH

DDA122TH Datasheet (PDF)

..1. Size:215K diodes
dda122th.pdf

DDA (LO-R1) H PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction ASOT-563 Complementary NPN Types Available Dim Min Max Typ (DDC) Built-In Biasing Resistors A 0.15 0.30 0.25 BPXXYM C Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 3) B 1.10 1.25 1.20 "Green" Device (Note 4 and 5) C 1.55 1.70 1.60 D 0.5

7.1. Size:237K diodes
dda122tu.pdf

DDA (LO-R1) U PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction ASOT-363 Complementary NPN Types Available (DDC) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors Lead-Free/RoHS Compliant (Note 3) A 0.10 0.30 "Green" Device (Note 4 and 5) B CB 1.15 1.35 C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nominal Case

8.1. Size:215K diodes
dda122lh.pdf