DDA122TH - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор DDA122TH - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: DDA122TH
   Маркировка: P83
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 0.22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-563

Аналоги (замена) для DDA122TH

DDA122TH Datasheet (PDF)

..1. Size:215K diodes
dda122th.pdf

DDA122TH

DDA (LO-R1) H PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction ASOT-563 Complementary NPN Types Available Dim Min Max Typ (DDC) Built-In Biasing Resistors A 0.15 0.30 0.25 BPXXYM C Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 3) B 1.10 1.25 1.20 "Green" Device (Note 4 and 5) C 1.55 1.70 1.60 D 0.5

7.1. Size:237K diodes
dda122tu.pdf

DDA122TH

DDA (LO-R1) U PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction ASOT-363 Complementary NPN Types Available (DDC) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors Lead-Free/RoHS Compliant (Note 3) A 0.10 0.30 "Green" Device (Note 4 and 5) B CB 1.15 1.35 C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nominal Case

8.1. Size:215K diodes
dda122lh.pdf

DDA122TH