2SB647A-C Todos los transistores

 

2SB647A-C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB647A-C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92MOD
 

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2SB647A-C Datasheet (PDF)

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2SB647A-C

2SB647(3CG647) 2SB647A(3CG647A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, 2SD667(3DG667)/2SD667A(3DG667A) Purpose: Low frequency power amplifier, complementary pair with 2SD667(3DG667) /2SD667A(3DG667A) /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V CBO-120 V 2SB647 -80

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2SB647A-C

2SB647(3CG647) 2SB647A(3CG647A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, 2SD667(3DG667)/2SD667A(3DG667A) Purpose: Low frequency power amplifier, complementary pair with 2SD667(3DG667) /2SD667A(3DG667A) /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V CBO-120 V 2SB647 -80

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2SB647A-C

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors J C T TO 92M TO 92MOD 2SB647/2SB647A TRANSISTOR (PNP) 1. COLLECTOR 1. EMITTER 2. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Low Frequency Power Amplifier 3. EMITTER Complementary Pair with 2SD667/A 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Va

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2SB647A-C

2SB647(A) Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM PNP Silicon PNP transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features 2SD667(A)Complementary pair with 2SD667(A). / Applications Low frequency power amplifier. / Equivalent Circuit / P

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