DMC26101 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMC26101
Código: E1
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 35
Encapsulados: MINI5-G3-B
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DMC26101 datasheet
dmc26101.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMC26101 Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini5-G3-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1 Base (Tr1) 4 Collector (Tr2)
fdmc2610.pdf
January 2007 FDMC2610 tm N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 9.5A, 200m Features General Description Max rDS(on) = 200m at VGS = 10V, ID = 2.2A This N-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench Max rDS(on) = 215m at VGS = 6V, ID = 1.5A process. It has been optimized for power management Low Profile - 1mm max in a Pow
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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