DMC26101. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMC26101

Маркировка: E1

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: MINI5-G3-B

 Аналоги (замена) для DMC26101

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMC26101 даташит

 ..1. Size:356K  panasonic
 dmc26101.pdf pdf_icon

DMC26101

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMC26101 Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini5-G3-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1 Base (Tr1) 4 Collector (Tr2)

 7.1. Size:396K  fairchild semi
 fdmc2610.pdf pdf_icon

DMC26101

January 2007 FDMC2610 tm N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 9.5A, 200m Features General Description Max rDS(on) = 200m at VGS = 10V, ID = 2.2A This N-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench Max rDS(on) = 215m at VGS = 6V, ID = 1.5A process. It has been optimized for power management Low Profile - 1mm max in a Pow

 7.2. Size:359K  panasonic
 dmc26100.pdf pdf_icon

DMC26101

 7.3. Size:356K  panasonic
 dmc26106.pdf pdf_icon

DMC26101

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DMA96401, DMA96402, DMA96403, DMA96406, DMA96407, DMA9640M, DMA9640T, DMC26100, BC337, DMC26102, DMC26103, DMC26104, DMC26105, DMC26106, DMC2610E, DMC26400, DMC26401