DMG26406 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMG26406

Código: L9

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: MINI6-G4-B

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DMG26406 datasheet

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DMG26406

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG26406 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini6-G4-B Contributes to miniaturization of sets, r

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DMG26406

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG26405 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini6-G4-B Contributes to miniaturization of sets, r

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