DTA114EN3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTA114EN3

Código: 6A

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de DTA114EN3

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DTA114EN3 datasheet

 ..1. Size:296K  cystek
dta114en3.pdf pdf_icon

DTA114EN3

Spec. No. C252N3 Issued Date 2003.05.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.01.24 Page No. 1/6 PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) DTA114EN3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors wit

 7.1. Size:58K  motorola
pdta114eu 6.pdf pdf_icon

DTA114EN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA114EU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

 7.2. Size:54K  motorola
pdta114eef 2.pdf pdf_icon

DTA114EN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA114EEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 21 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 1

 7.3. Size:58K  motorola
pdta114es 2.pdf pdf_icon

DTA114EN3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA114ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 02 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) Simplification o

Otros transistores... DTA114EA3, DTA114EB3, DTA114EEFRA, DTA114EET1G, DTA114EKAFRA, DTA114EM3, DTA114EM3T5G, DTA114EMFHA, TIP42C, DTA114ES3, DTA114EUAFRA, DTA114GUA, DTA114TEB, DTA114TEFRA, DTA114TET1G, DTA114TKAFRA, DTA114TM3