DTA114YKAFRA Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTA114YKAFRA
Código: 54
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 68
Encapsulados: SOT-346
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DTA114YKAFRA datasheet
dta114yefra dta114ykafra dta114yuafra.pdf
DTA114Y series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k DTA114YM DTA114YEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 47k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTA114YE DTA
dta114y dta114yka dta114yua.pdf
DTA114Y series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Outline VMT3 EMT3F Parameter Value OUT OUT VCC 50V IN IN IC(MAX.) 100mA GND GND R1 10k DTA114YM DTA114YEB R2 47k (SC-105AA) (SC-89) EMT3 UMT3F OUT Features OUT IN 1) Built-In Biasing Resistors IN GND GND 2) Built-in bias resistors enable the configura
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DDTA (R1 R2 SERIES) KA PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A Complementary NPN Types Available (DDTC) Built-In Biasing Resistors, R1 R2 SC-59 Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) Dim Min Max "Green" Device, Note 2 and 3 B C A 0.35 0.50 Mechanical Data B 1.50 1.70 C 2.70 3.00 Case SC
chdta114ykgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTA114YKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 70 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabili
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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