DTA114YKAFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA114YKAFRA

Маркировка: 54

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT-346

 Аналоги (замена) для DTA114YKAFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA114YKAFRA даташит

 ..1. Size:1538K  rohm
 dta114yefra dta114ykafra dta114yuafra.pdf pdf_icon

DTA114YKAFRA

DTA114Y series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 10k DTA114YM DTA114YEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 47k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTA114YE DTA

 5.1. Size:477K  rohm
 dta114y dta114yka dta114yua.pdf pdf_icon

DTA114YKAFRA

DTA114Y series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Outline VMT3 EMT3F Parameter Value OUT OUT VCC 50V IN IN IC(MAX.) 100mA GND GND R1 10k DTA114YM DTA114YEB R2 47k (SC-105AA) (SC-89) EMT3 UMT3F OUT Features OUT IN 1) Built-In Biasing Resistors IN GND GND 2) Built-in bias resistors enable the configura

 5.2. Size:191K  diodes
 ddta114yka.pdf pdf_icon

DTA114YKAFRA

DDTA (R1 R2 SERIES) KA PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A Complementary NPN Types Available (DDTC) Built-In Biasing Resistors, R1 R2 SC-59 Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) Dim Min Max "Green" Device, Note 2 and 3 B C A 0.35 0.50 Mechanical Data B 1.50 1.70 C 2.70 3.00 Case SC

 6.1. Size:74K  chenmko
 chdta114ykgp.pdf pdf_icon

DTA114YKAFRA

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTA114YKGP SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 70 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabili

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTA114TM3T5G, DTA114TMFHA, DTA114TN3, DTA114TUAFRA, DTA114TUB, DTA114YC3, DTA114YEFRA, DTA114YET1G, BD335, DTA114YM3, DTA114YM3T5G, DTA114YMFHA, DTA114YN3, DTA114YS3, DTA114YUAFRA, DTA115EEFRA, DTA115EET1G