DTA115EKAFRA Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTA115EKAFRA

Código: 19

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 100 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 100 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 82

Encapsulados: SOT-346

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DTA115EKAFRA datasheet

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DTA115EKAFRA

DTA115E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 100k DTA115EM DTA115EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 100k EMT3 UMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the configuratio

 5.1. Size:141K  rohm
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DTA115EKAFRA

-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA / DTA115EKA Applications Inverter, Interface, Driver Features 1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2)The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolatio

 5.2. Size:1291K  rohm
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DTA115EKAFRA

DTA115E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) lOutline l Parameter Value SOT-723 SOT-416FL VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 100k DTA115EM DTA115EEB R2 (VMT3) (EMT3F) 100k SOT-416 SOT-323FL lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the con

 5.3. Size:181K  diodes
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