DTA115EKAFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA115EKAFRA

Маркировка: 19

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT-346

 Аналоги (замена) для DTA115EKAFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA115EKAFRA даташит

 ..1. Size:1385K  rohm
dta115eefra dta115ekafra dta115emfha dta115euafra.pdfpdf_icon

DTA115EKAFRA

DTA115E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 100k DTA115EM DTA115EEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 100k EMT3 UMT3 lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the configuratio

 5.1. Size:141K  rohm
dta115e-ser dta115ee dta115eka.pdfpdf_icon

DTA115EKAFRA

-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) DTA115EM / DTA115EE / DTA115EUA / DTA115EKA Applications Inverter, Interface, Driver Features 1)Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2)The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolatio

 5.2. Size:1291K  rohm
dta115em dta115eeb dta115ee dta115eub dta115eua dta115eka.pdfpdf_icon

DTA115EKAFRA

DTA115E series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) lOutline l Parameter Value SOT-723 SOT-416FL VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 100k DTA115EM DTA115EEB R2 (VMT3) (EMT3F) 100k SOT-416 SOT-323FL lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 100k 2) Built-in bias resistors enable the con

 5.3. Size:181K  diodes
ddta115eka.pdfpdf_icon

DTA115EKAFRA

Другие транзисторы: DTA114YM3, DTA114YM3T5G, DTA114YMFHA, DTA114YN3, DTA114YS3, DTA114YUAFRA, DTA115EEFRA, DTA115EET1G, TIP31, DTA115EM3, DTA115EM3T5G, DTA115EMFHA, DTA115EN3, DTA115EUAFRA, DTA115TET1G, DTA115TM3, DTA115TM3T5G