DTA123JEFRA Todos los transistores

 

DTA123JEFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTA123JEFRA
   Código: E32
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT-416
 

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DTA123JEFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1531K  rohm
dta123jefra dta123jkafra dta123jmfha dta123juafra.pdf pdf_icon

DTA123JEFRA

DTA123J seriesDatasheetPNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value VMT3 EMT3FVCC-50VIC(MAX.)-100mA R12.2kDTA123JM DTA123JEBR2 (SC-105AA) (SC-89)47k EMT3 UMT3FlFeaturesl1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTA123JE DT

 5.1. Size:54K  motorola
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DTA123JEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA123JEFPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 20Preliminary specificationPhilips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123JEFFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)3handbook, halfpage3 Simplification of circuit designR11 Red

 5.2. Size:54K  philips
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DTA123JEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA123JEFPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 20Preliminary specificationPhilips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123JEFFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)3handbook, halfpage3 Simplification of circuit designR11 Red

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DTA123JEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA123JEPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1998 Nov 25Supersedes data of 1997 Dec 15Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123JEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)handbook, halfpage33 Simplification of circuit d

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History: BCW61RB | CMPT5401 | HQ1A4A | D7F2 | CSA1012Y | KRC109S

 

 
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