DTA123JEFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA123JEFRA

Маркировка: E32

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-416

 Аналоги (замена) для DTA123JEFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA123JEFRA даташит

 ..1. Size:1531K  rohm
dta123jefra dta123jkafra dta123jmfha dta123juafra.pdfpdf_icon

DTA123JEFRA

DTA123J series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 2.2k DTA123JM DTA123JEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 47k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTA123JE DT

 5.1. Size:54K  motorola
pdta123jef 1.pdfpdf_icon

DTA123JEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA123JEF PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 5.2. Size:54K  philips
pdta123jef 1.pdfpdf_icon

DTA123JEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA123JEF PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 6.1. Size:57K  motorola
pdta123je 2.pdfpdf_icon

DTA123JEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA123JE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Nov 25 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit d

Другие транзисторы: DTA123EEFRA, DTA123EET1G, DTA123EKAFRA, DTA123EM3, DTA123EM3T5G, DTA123EMFHA, DTA123EUAFRA, DTA123JC3, D209L, DTA123JET1G, DTA123JKAFRA, DTA123JM3, DTA123JM3T5G, DTA123JMFHA, DTA123JS3, DTA123JUAFRA, DTA123TE