2SA1013 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1013 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO92
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2SA1013 datasheet
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1013 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1013 is a PNP epitaxial silicon transistor, it uses UTC s advanced technology to provide the customers with high BVCEO and high DC current gain, etc. The UTC 2SA1013 is suitable for power switching and color TV vertical deflection output, etc.
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2SA1013 -1A, -160V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURE TO-92L High Voltage VCEO= -160V G H Large Continuous Collector Current Capability 1Emitter 1 1 1 2Collector 2 2 Complementary to 2SC2383 2 3Base 3 3 3 J A D CLASSIFICATION OF hFE Millimete
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SA1013 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURE 1 High voltage 2. COLLECTOR 2 2 3 Large continuous collector current capability 3. EMITTER MARKING 1013 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted ) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltag
Otros transistores... 2SA101, 2SA1010, 2SA1011, 2SA1011D, 2SA1011E, 2SA1012, 2SA1012O, 2SA1012Y, 2SC828, 2SA1013O, 2SA1013R, 2SA1014, 2SA1015, 2SA1015L, 2SA1015LG, 2SA1015LO, 2SA1015LY
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: MPSH81
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Liste
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