EMD29 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMD29

Código: D29

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SC-107C

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EMD29 datasheet

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EMD29

EMD29 Datasheet PNP + NPN Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Outline EMT6 Parameter Value (6) (5) (4) VCC 12V (1) (2) IC(MAX.) 500mA (3) R1 1k EMD29 (SC-107C) R2 10k Parameter Value VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k R2 10k Features Inner circuit 1) Both the DTB513Z chip and DTC1

Otros transistores... EMC4DXV5T1G, EMC5DXV5, EMC5DXV5T1G, EMD12, EMD12FHA, EMD2, EMD22, EMD22FHA, TIP32C, EMD2FHA, EMD3, EMD30, EMD38, EMD3FHA, EMD4, EMD4DXV6T1G, EMD4DXV6T5G