EMD29 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMD29
Código: D29
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: SC-107C
Búsqueda de reemplazo de EMD29
EMD29 Datasheet (PDF)
emd29.pdf

EMD29DatasheetPNP + NPN Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) OutlineEMT6Parameter Value(6)(5)(4)VCC12V(1)(2)IC(MAX.)500mA(3)R11kEMD29(SC-107C)R210kParameter ValueVCC50VIC(MAX.)100mAR110kR210kFeatures Inner circuit1) Both the DTB513Z chip and DTC1
Otros transistores... EMC4DXV5T1G , EMC5DXV5 , EMC5DXV5T1G , EMD12 , EMD12FHA , EMD2 , EMD22 , EMD22FHA , 2SC1740 , EMD2FHA , EMD3 , EMD30 , EMD38 , EMD3FHA , EMD4 , EMD4DXV6T1G , EMD4DXV6T5G .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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