EMD29 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMD29

Маркировка: D29

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD29

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD29 даташит

 ..1. Size:286K  rohm
 emd29.pdf pdf_icon

EMD29

EMD29 Datasheet PNP + NPN Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Outline EMT6 Parameter Value (6) (5) (4) VCC 12V (1) (2) IC(MAX.) 500mA (3) R1 1k EMD29 (SC-107C) R2 10k Parameter Value VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k R2 10k Features Inner circuit 1) Both the DTB513Z chip and DTC1

Другие транзисторы: EMC4DXV5T1G, EMC5DXV5, EMC5DXV5T1G, EMD12, EMD12FHA, EMD2, EMD22, EMD22FHA, TIP32C, EMD2FHA, EMD3, EMD30, EMD38, EMD3FHA, EMD4, EMD4DXV6T1G, EMD4DXV6T5G