Справочник транзисторов. EMD29

 

Биполярный транзистор EMD29 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMD29
   Маркировка: D29
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SC-107C
 

 Аналог (замена) для EMD29

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD29 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  rohm
emd29.pdfpdf_icon

EMD29

EMD29DatasheetPNP + NPN Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) OutlineEMT6Parameter Value(6)(5)(4)VCC12V(1)(2)IC(MAX.)500mA(3)R11kEMD29(SC-107C)R210kParameter ValueVCC50VIC(MAX.)100mAR110kR210kFeatures Inner circuit1) Both the DTB513Z chip and DTC1

Другие транзисторы... EMC4DXV5T1G , EMC5DXV5 , EMC5DXV5T1G , EMD12 , EMD12FHA , EMD2 , EMD22 , EMD22FHA , 2SC1740 , EMD2FHA , EMD3 , EMD30 , EMD38 , EMD3FHA , EMD4 , EMD4DXV6T1G , EMD4DXV6T5G .

 

 
Back to Top

 


 
.