EMD3FHA Todos los transistores

 

EMD3FHA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMD3FHA
   Código: D3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SC-107C
 

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EMD3FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1403K  rohm
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EMD3FHA

EMD3FHA / UMD3NFHA / IMD3AFRAEMD3 / UMD3N / IMD3ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutline(6)EMT6 UMT6Parameter Value (5)(6) (4) (5) (4)VCC50V(1)(1) (2) (2)IC(MAX.)100mA (3) (3)R110kWEMD3EMD3FHA UMD3NFHAUMD3N(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)10kWSMT6(4)

 ..2. Size:1440K  rohm
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EMD3FHA

EMD3FHA / UMD3NFHA / IMD3AFRAEMD3 / UMD3N / IMD3ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutline(6)EMT6 UMT6Parameter Value (5)(6) (4) (5) (4)VCC50V(1)(1) (2) (2)IC(MAX.)100mA (3) (3)R110kWEMD3EMD3FHA UMD3NFHAUMD3N(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)10kWSMT6(4)

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History: 2N6477 | H558

 

 
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