EMD3FHA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMD3FHA

Código: D3

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: SC-107C

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EMD3FHA datasheet

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EMD3FHA

EMD3FHA / UMD3NFHA / IMD3AFRA EMD3 / UMD3N / IMD3A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline (6) EMT6 UMT6 Parameter Value (5) (6) (4) (5) (4) VCC 50V (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMD3 EMD3FHA UMD3NFHA UMD3N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 10kW SMT6 (4)

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EMD3FHA

EMD3FHA / UMD3NFHA / IMD3AFRA EMD3 / UMD3N / IMD3A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline (6) EMT6 UMT6 Parameter Value (5) (6) (4) (5) (4) VCC 50V (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMD3 EMD3FHA UMD3NFHA UMD3N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 10kW SMT6 (4)

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