Справочник транзисторов. EMD3FHA

 

Биполярный транзистор EMD3FHA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: EMD3FHA
   Маркировка: D3
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD3FHA

 

 

EMD3FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1403K  rohm
emd3fha umd3nfha.pdf

EMD3FHA
EMD3FHA

EMD3FHA / UMD3NFHA / IMD3AFRAEMD3 / UMD3N / IMD3ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutline(6)EMT6 UMT6Parameter Value (5)(6) (4) (5) (4)VCC50V(1)(1) (2) (2)IC(MAX.)100mA (3) (3)R110kWEMD3EMD3FHA UMD3NFHAUMD3N(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)10kWSMT6(4)

 ..2. Size:1440K  rohm
emd3fha umd3nfha imd3afra.pdf

EMD3FHA
EMD3FHA

EMD3FHA / UMD3NFHA / IMD3AFRAEMD3 / UMD3N / IMD3ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutline(6)EMT6 UMT6Parameter Value (5)(6) (4) (5) (4)VCC50V(1)(1) (2) (2)IC(MAX.)100mA (3) (3)R110kWEMD3EMD3FHA UMD3NFHAUMD3N(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)10kWSMT6(4)

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top