EMD3FHA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMD3FHA

Маркировка: D3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD3FHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD3FHA даташит

 ..1. Size:1403K  rohm
 emd3fha umd3nfha.pdf pdf_icon

EMD3FHA

EMD3FHA / UMD3NFHA / IMD3AFRA EMD3 / UMD3N / IMD3A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline (6) EMT6 UMT6 Parameter Value (5) (6) (4) (5) (4) VCC 50V (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMD3 EMD3FHA UMD3NFHA UMD3N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 10kW SMT6 (4)

 ..2. Size:1440K  rohm
 emd3fha umd3nfha imd3afra.pdf pdf_icon

EMD3FHA

EMD3FHA / UMD3NFHA / IMD3AFRA EMD3 / UMD3N / IMD3A Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline (6) EMT6 UMT6 Parameter Value (5) (6) (4) (5) (4) VCC 50V (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMD3 EMD3FHA UMD3NFHA UMD3N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 10kW SMT6 (4)

Другие транзисторы: EMD2, EMD22, EMD22FHA, EMD29, EMD2FHA, EMD3, EMD30, EMD38, B647, EMD4, EMD4DXV6T1G, EMD4DXV6T5G, EMD5, EMD52, EMD53, EMD59, EMD5DXV6