EMD52 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMD52
Código: D52
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SC-107C
- Selección de transistores por parámetros
EMD52 Datasheet (PDF)
emd52.pdf

EMD52DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value EMT6VCC50VIC(MAX.)100mA R122kEMD52R2 (SC-107C)22k Parameter ValueVCC-50VIC(MAX.)-100mAR122kR222klFeatures lInner circuitl l
Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: MRF1015MB | KTC4347 | BFQ19P | KTC3878S | SD451 | UMB6N | QS5Y2
History: MRF1015MB | KTC4347 | BFQ19P | KTC3878S | SD451 | UMB6N | QS5Y2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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