EMD52 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMD52

Маркировка: D52

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD52 даташит

 ..1. Size:836K  rohm
 emd52.pdf pdf_icon

EMD52

EMD52 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value EMT6 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 22k EMD52 R2 (SC-107C) 22k Parameter Value VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 22k R2 22k lFeatures lInner circuit l l

Другие транзисторы: EMD3, EMD30, EMD38, EMD3FHA, EMD4, EMD4DXV6T1G, EMD4DXV6T5G, EMD5, BD222, EMD53, EMD59, EMD5DXV6, EMD5DXV6T5G, EMD6, EMD62, EMD6FHA, EMD72