Биполярный транзистор EMD52 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: EMD52
   Маркировка: D52
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SC-107C
     - подбор биполярного транзистора по параметрам