EMD9FHA Todos los transistores

 

EMD9FHA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMD9FHA
   Código: D9
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: SC-107C
 

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EMD9FHA Datasheet (PDF)

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EMD9FHA

EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRAEMD9 / UMD9N / IMD9ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R110kWEMD9UMD9NEMD9FHA UMD9NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)47kWSMT6(4)

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EMD9FHA

EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRAEMD9 / UMD9N / IMD9ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R110kWEMD9UMD9NEMD9FHA UMD9NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)47kWSMT6(4)

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