Справочник транзисторов. EMD9FHA

 

Биполярный транзистор EMD9FHA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: EMD9FHA
   Маркировка: D9
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMD9FHA

 

 

EMD9FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1436K  rohm
emd9fha umd9nfha imd9afra.pdf

EMD9FHA
EMD9FHA

EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRAEMD9 / UMD9N / IMD9ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R110kWEMD9UMD9NEMD9FHA UMD9NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)47kWSMT6(4)

 ..2. Size:1399K  rohm
emd9fha umd9nfha.pdf

EMD9FHA
EMD9FHA

EMD9FHA / UMD9NFHA / IMD9AFRAEMD9 / UMD9N / IMD9ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6) (5) (5) (4) (4)VCC50V(1)(1) (2)IC(MAX.)100mA (2) (3) (3)R110kWEMD9UMD9NEMD9FHA UMD9NFHA(SC-107C)R2 SOT-353 (SC-88)47kWSMT6(4)

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top