EMF5XV6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMF5XV6

Código: UY

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.357 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT-563

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EMF5XV6 datasheet

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EMF5XV6

EMF5XV6T5 Preferred Devices Power Management, Dual Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network http //onsemi.com Features Simplifies Circuit Design (3) (2) (1) Reduces Board Space Reduces Component Count Q1 These are Pb-Free Devices Q2 MAXIMUM RATINGS R2 R1 Rating Symbol Value Unit (4) (5) (6) Q1 (TA = 25 C unless o

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