EMF5XV6 Todos los transistores

 

EMF5XV6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMF5XV6
   Código: UY
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.357 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT-563
 

 Búsqueda de reemplazo de EMF5XV6

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

EMF5XV6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  onsemi
 emf5xv6t5-d emf5xv6 emf5xv6t5g.pdf pdf_icon

EMF5XV6

EMF5XV6T5Preferred DevicesPower Management,Dual TransistorsNPN Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comFeatures Simplifies Circuit Design(3) (2) (1) Reduces Board Space Reduces Component CountQ1 These are Pb-Free DevicesQ2MAXIMUM RATINGSR2 R1Rating Symbol Value Unit(4) (5) (6)Q1 (TA = 25C unless o

Otros transistores... EMD62 , EMD6FHA , EMD72 , EMD9 , EMD9FHA , EMF18XV6 , EMF18XV6T5 , EMF18XV6T5G , 13007 , EMF5XV6T5G , EMG1 , EMG2 , EMG2DXV5T5G , EMG3 , EMG4 , EMG5 , EMG5DXV5T1 .

History: 2N4413A | 2N5190

 

 
Back to Top

 


 
.