EMG4 Todos los transistores

 

EMG4 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMG4
   Código: G4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC-107BB
 

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EMG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  rohm
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EMG4

EMG4 / UMG4N / FMG4A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMG4 / UMG4N / FMG4A External dimensions (Unit : mm) Features1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMTEMG4package.(4) (3)(2)( ) (1)5 Equivalent circuits 1.21.6EMG4 / UMG4N FMG4A(3) (2) (1) (3) (4) (5)R1 R1 R1 R1ROHM : EMT5 Each lead has same dimensions(4) (5) (2) (1)R

 ..2. Size:400K  rohm
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EMG4

EMG4 / UMG4N / FMG4ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlineEMT5 UMT5Parameter Tr1 and Tr2(3) (5) (2) VCEO (1) 50V(4) (1) (4) IC(MAX.) (2) 100mA(3) (5) R110kWEMG4 UMG4N (SC-107BB) SOT-353 (SC-88A) SMT5(1) lFeatures(2) (5) 1) Built-In Biasing Resistors.(4) (3) 2) Two DTC114T chips in on

 0.1. Size:156K  chenmko
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EMG4

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHEMG4GPSURFACE MOUNTDual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-553)SOT553* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.(4) (3)* High saturation current

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