EMG5 Todos los transistores

 

EMG5 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMG5
   Código: G5
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: SC-107BB
 

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EMG5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  rohm
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EMG5

EMG5 / UMG5NDatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlineEMT5 UMT5Parameter Tr1 and Tr2(3) (5) (2) (1) (4) VCC50V(1) (4) (2) IC(MAX.)100mA(3) (5) R110kWEMG5 UMG5N R2(SC-107BB) 47kW SOT-353 (SC-88A) lFeatures lInner circuit1) Built-In Biasing Resistors.2) Two DTC114Y chips in one package.GND

 0.1. Size:69K  onsemi
 emg2dxv5t1 emg5dxv5 emg2dxv5t5g emg5dxv5t1.pdf pdf_icon

EMG5

EMG2DXV5T1,EMG5DXV5T1Preferred DevicesDual Bias ResistorTransistorsNPN Silicon Surface Mount Transistorshttp://onsemi.comwith Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The BRT (Bias ResistorNPN SILICONTransistor) contains a single transistor with a monolithic bias net

 0.2. Size:79K  chenmko
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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHEMG5GPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 70 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-553)SOT553* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.(4) (3)* High saturation current c

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History: ME513 | 2SC3988L

 

 
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