Справочник транзисторов. EMG5

 

Биполярный транзистор EMG5 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMG5
   Маркировка: G5
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC-107BB
 

 Аналог (замена) для EMG5

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMG5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  rohm
 emg5.pdf pdf_icon

EMG5

EMG5 / UMG5NDatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlineEMT5 UMT5Parameter Tr1 and Tr2(3) (5) (2) (1) (4) VCC50V(1) (4) (2) IC(MAX.)100mA(3) (5) R110kWEMG5 UMG5N R2(SC-107BB) 47kW SOT-353 (SC-88A) lFeatures lInner circuit1) Built-In Biasing Resistors.2) Two DTC114Y chips in one package.GND

 0.1. Size:69K  onsemi
 emg2dxv5t1 emg5dxv5 emg2dxv5t5g emg5dxv5t1.pdf pdf_icon

EMG5

EMG2DXV5T1,EMG5DXV5T1Preferred DevicesDual Bias ResistorTransistorsNPN Silicon Surface Mount Transistorshttp://onsemi.comwith Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The BRT (Bias ResistorNPN SILICONTransistor) contains a single transistor with a monolithic bias net

 0.2. Size:79K  chenmko
 chemg5gp.pdf pdf_icon

EMG5

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHEMG5GPSURFACE MOUNT NPN Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 70 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-553)SOT553* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.(4) (3)* High saturation current c

Другие транзисторы... EMF18XV6T5G , EMF5XV6 , EMF5XV6T5G , EMG1 , EMG2 , EMG2DXV5T5G , EMG3 , EMG4 , 2SD718 , EMG5DXV5T1 , EMG6 , EMG8 , EMG9 , EMH1 , EMH10 , EMH10FHA , EMH11 .

 

 
Back to Top

 


 
.