EMG5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMG5

Маркировка: G5

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC-107BB

 Аналоги (замена) для EMG5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMG5 даташит

 ..1. Size:397K  rohm
 emg5.pdf pdf_icon

EMG5

EMG5 / UMG5N Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT5 UMT5 Parameter Tr1 and Tr2 (3) (5) (2) (1) (4) VCC 50V (1) (4) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (5) R1 10kW EMG5 UMG5N R2 (SC-107BB) 47kW SOT-353 (SC-88A) lFeatures lInner circuit 1) Built-In Biasing Resistors. 2) Two DTC114Y chips in one package. GND

 0.1. Size:69K  onsemi
 emg2dxv5t1 emg5dxv5 emg2dxv5t5g emg5dxv5t1.pdf pdf_icon

EMG5

EMG2DXV5T1, EMG5DXV5T1 Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor NPN SILICON Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias net

 0.2. Size:79K  chenmko
 chemg5gp.pdf pdf_icon

EMG5

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG5GP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 70 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current c

Другие транзисторы: EMF18XV6T5G, EMF5XV6, EMF5XV6T5G, EMG1, EMG2, EMG2DXV5T5G, EMG3, EMG4, BD140, EMG5DXV5T1, EMG6, EMG8, EMG9, EMH1, EMH10, EMH10FHA, EMH11