EMG6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMG6

Código: G6

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SC-107BB

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EMG6 datasheet

 ..1. Size:410K  rohm
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EMG6

EMG6 / UMG6N / FMG6A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT5 UMT5 Parameter Tr1 and Tr2 (3) (5) (2) VCEO (1) 50V (4) (1) (4) IC(MAX.) (2) 100mA (3) (5) R1 47kW EMG6 UMG6N (SC-107BB) SOT-353 (SC-88A) SMT5 (1) lFeatures (2) (5) 1) Built-In Biasing Resistors. (4) (3) 2) Two DTC144T chips in on

 ..2. Size:154K  rohm
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EMG6

General purpose (dual digital transistors) EMG6 / UMG6N / FMG6A Features Dimensions (Unit mm) 1) Two DTC144T chips in a EMT or UMT or SMT package. EMG6 1.2 Equivalent circuit 1.6 EMG6 / UMG6N FMG6 (3) (2) (1) (3) (4) (5) R1 R1 R1 R1 ROHM EMT5 Each lead has same dimensions DTr2 DTr1 DTr2 DTr1 (4) (5) (2) (1) R1=47k R1=47k UMG6N 1.25 Absolute maximum ratings (T

 0.1. Size:154K  chenmko
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EMG6

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMG6GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current

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