EMH75 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMH75
Código: H75
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SC-107C
Búsqueda de reemplazo de EMH75
EMH75 Datasheet (PDF)
emh75.pdf

EMH75DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter DTr1 and DTr2 EMT6VCC50VIC(MAX.)100mA R14.7kEMH75R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuitl l1) Two DTC043Z chips in a EMT6 package.2) Transister elements are independent, eliminating
Otros transistores... EMH51 , EMH52 , EMH53 , EMH59 , EMH6 , EMH60 , EMH61 , EMH6FHA , TIP31 , EMH9 , EMH9FHA , EML17 , EML20 , FA4A3Q , FA4A4L , FA4A4M , FA4A4P .
History: K129NT1A-1 | BC223 | KRC111 | 2SA1247 | 2SC5765 | CX904C | GES2483
History: K129NT1A-1 | BC223 | KRC111 | 2SA1247 | 2SC5765 | CX904C | GES2483



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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