EMH75 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMH75

Código: H75

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SC-107C

 Búsqueda de reemplazo de EMH75

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

EMH75 datasheet

 ..1. Size:689K  rohm
 emh75.pdf pdf_icon

EMH75

EMH75 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 4.7k EMH75 R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTC043Z chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminating

Otros transistores... EMH51, EMH52, EMH53, EMH59, EMH6, EMH60, EMH61, EMH6FHA, 8050, EMH9, EMH9FHA, EML17, EML20, FA4A3Q, FA4A4L, FA4A4M, FA4A4P