EMH75 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMH75

Маркировка: H75

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH75

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMH75 даташит

 ..1. Size:689K  rohm
 emh75.pdf pdf_icon

EMH75

EMH75 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 4.7k EMH75 R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTC043Z chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminating

Другие транзисторы: EMH51, EMH52, EMH53, EMH59, EMH6, EMH60, EMH61, EMH6FHA, 8050, EMH9, EMH9FHA, EML17, EML20, FA4A3Q, FA4A4L, FA4A4M, FA4A4P