HD1F3P . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HD1F3P
   Código: L_LQ
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HD1F3P

HD1F3P Datasheet (PDF)

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