LUMC3NT1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LUMC3NT1G

Código: U3

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: SC-88A

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LUMC3NT1G datasheet

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LUMC3NT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistor Features LUMC3NT1G Pb-Free Packages are Available S-LUMC3NT1G Simplifies Circuit Design Reduces Board Space Reduces Component Count Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifi

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