Справочник транзисторов. LUMC3NT1G

 

Биполярный транзистор LUMC3NT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: LUMC3NT1G
   Маркировка: U3
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SC-88A

 Аналоги (замена) для LUMC3NT1G

 

 

LUMC3NT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  lrc
lumc3nt1g.pdf

LUMC3NT1G
LUMC3NT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual Common Base-CollectorBias Resistor TransistorFeaturesLUMC3NT1G Pb-Free Packages are AvailableS-LUMC3NT1G Simplifies Circuit Design Reduces Board Space Reduces Component Count Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifi

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top