LUMC3NT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LUMC3NT1G

Маркировка: U3

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SC-88A

 Аналоги (замена) для LUMC3NT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LUMC3NT1G даташит

 ..1. Size:282K  lrc
 lumc3nt1g.pdf pdf_icon

LUMC3NT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistor Features LUMC3NT1G Pb-Free Packages are Available S-LUMC3NT1G Simplifies Circuit Design Reduces Board Space Reduces Component Count Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifi

Другие транзисторы: LMUN5234T1G, LMUN5235DW1T1G, LMUN5235T1G, LMUN5236DW1T1G, LMUN5237DW1T1G, LMUN5237T1G, LRX102UT1G, LUMA5NT1G, TIP42, LUMF23NDW1T1G, LUMG10NT1G, LUMG2NT1G, LUMG3NT1G, EMA8, KSR1201, KSR1202, KSR1203