EMA8 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMA8

Código: A8

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: EMT5

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EMA8 datasheet

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EMA8

EMA8 / UMA8N / FMA8A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMA8 / UMA8N / FMA8A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA114Y chips in a EMT or UMT or SMT EMA8 package. ( ) (3) 4 ( ) 2 (5) ( ) 1 1.2 1.6 Equivalent circuit EMA8 / UMA8N FMA8A (3) (2) (1) (3) (4) (5) ROHM EMT5 Each lead has same dimensions R1 R1 R1 R1 R2 R2 R2 R2 (4) (5)/(6)

 0.1. Size:131K  chenmko
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EMA8

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMA8GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 70 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current

Otros transistores... LMUN5237T1G, LRX102UT1G, LUMA5NT1G, LUMC3NT1G, LUMF23NDW1T1G, LUMG10NT1G, LUMG2NT1G, LUMG3NT1G, S9013, KSR1201, KSR1202, KSR1203, KSR1204, KSR1205, KSR1206, KSR1207, KSR1208