EMA8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMA8

Маркировка: A8

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: EMT5

 Аналоги (замена) для EMA8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMA8 даташит

 ..1. Size:52K  rohm
 ema8 uma8n fma8a.pdf pdf_icon

EMA8

EMA8 / UMA8N / FMA8A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMA8 / UMA8N / FMA8A External dimensions (Units mm) Features 1) Two DTA114Y chips in a EMT or UMT or SMT EMA8 package. ( ) (3) 4 ( ) 2 (5) ( ) 1 1.2 1.6 Equivalent circuit EMA8 / UMA8N FMA8A (3) (2) (1) (3) (4) (5) ROHM EMT5 Each lead has same dimensions R1 R1 R1 R1 R2 R2 R2 R2 (4) (5)/(6)

 0.1. Size:131K  chenmko
 chema8gp.pdf pdf_icon

EMA8

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMA8GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 70 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current

Другие транзисторы: LMUN5237T1G, LRX102UT1G, LUMA5NT1G, LUMC3NT1G, LUMF23NDW1T1G, LUMG10NT1G, LUMG2NT1G, LUMG3NT1G, S9013, KSR1201, KSR1202, KSR1203, KSR1204, KSR1205, KSR1206, KSR1207, KSR1208