2SA105 Todos los transistores

 

2SA105 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA105

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.035 W

Tensión colector-base (Vcb): 6 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO44

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2SA105 datasheet

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2SA105

2SA1052 Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency amplifier Outline MPAK 3 1 1. Emitter 2. Base 2 3. Collector 2SA1052 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 30 V Collector to emitter voltage VCEO 30 V Emitter to base voltage VEBO 5 V Collector current IC 100 mA Emitter current IE 100 mA Collector powe

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2SA105

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2SA105

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2SA105

SMD Type or SMD Type TransistICs PNP Transistors 2SA1052 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features 1 2 Low frequency amplifier +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector to base voltage VCBO -30 V Collector to emitter voltage VCEO -30 V Emitter to base volta

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History: ZXTN25040DZ | 2SB1659 | 2SB958 | 2N5145 | BDT30A | 2SB1119R | 2N517

 

 

 

 

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