PBRN113ZS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PBRN113ZS
   Código: N113ZS
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: SOT-54

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PBRN113ZS

PBRN113ZS Datasheet (PDF)

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PBRN113Z seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 01 26 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113ZK SOT346 SC-59A TO-236PBRN

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PBRN113E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 01 1 March 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236PBRN113ES

7.2. Size:147K nxp
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