Биполярный транзистор PBRN113ZS - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBRN113ZS
Маркировка: N113ZS
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT-54
Аналоги (замена) для PBRN113ZS
PBRN113ZS Datasheet (PDF)
pbrn113zs pbrn113z pbrn113zk.pdf
PBRN113Z seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 01 26 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113ZK SOT346 SC-59A TO-236PBRN
pbrn113z.pdf
PBRN113Z seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 01 26 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113ZK SOT346 SC-59A TO-236PBRN
pbrn113es pbrn113e pbrn113ek.pdf
PBRN113E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 01 1 March 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236PBRN113ES
pbrn113e.pdf
PBRN113E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 01 1 March 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236PBRN113ES
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
