Биполярный транзистор PBRN113ZS Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PBRN113ZS
Маркировка: N113ZS
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT-54
Аналог (замена) для PBRN113ZS
PBRN113ZS Datasheet (PDF)
pbrn113zs pbrn113z pbrn113zk.pdf

PBRN113Z seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 01 26 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113ZK SOT346 SC-59A TO-236PBRN
pbrn113z.pdf

PBRN113Z seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 01 26 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113ZK SOT346 SC-59A TO-236PBRN
pbrn113es pbrn113e pbrn113ek.pdf

PBRN113E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 01 1 March 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236PBRN113ES
pbrn113e.pdf

PBRN113E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 01 1 March 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN113EK SOT346 SC-59A TO-236PBRN113ES
Другие транзисторы... MUN5333DW1T1G , MUN5334DW1T1G , MUN5335DW1T1G , MUN5336DW1 , MUN5336DW1T1G , PBRN113EK , PBRN113ES , PBRN113ZK , 2N3906 , PBRN123EK , PBRN123ES , PBRN123YK , PBRN123YS , PDTA113EK , PDTA113ES , PDTA113ZK , PDTA113ZS .
History: 2SD2012G | NB121HY | KSC1098 | 2SB955K
History: 2SD2012G | NB121HY | KSC1098 | 2SB955K



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl