RT3N77M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT3N77M
Código: N77
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SC-88
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RT3N77M Datasheet (PDF)
rt3n77m.pdf

RT3N77M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3N77M is composite transistor built with two 1.25 RT1N140 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver
Otros transistores... RT2P28M , RT2P29M , RT3N11M , RT3N22M , RT3N33M , RT3N44M , RT3N55M , RT3N66M , 2SC5198 , RT3NAAM , RT3NBBM , RT3NCCM , RT3NDDM , RT3NEEM , RT3NFFM , RT3NGGM , RT3NHHM .
History: 2SA813S3 | 2N331



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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