RT3NUUM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT3NUUM
Código: NUU
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: SC-88
- Selección de transistores por parámetros
RT3NUUM Datasheet (PDF)
rt3nuum.pdf

RT3NUUM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3NUUM is composite transistor built with two 1.25 RT1N14B chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MPS536 | 2SC723 | KT209A | 2PB709AXL | 2SD1106 | HT100 | 2N3500S
History: MPS536 | 2SC723 | KT209A | 2PB709AXL | 2SD1106 | HT100 | 2N3500S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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