RT3P77M Todos los transistores

 

RT3P77M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3P77M
   Código: P77
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC-88
 

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RT3P77M Datasheet (PDF)

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RT3P77M

RT3P77M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION RT3P77M is compound transistor built with two RT1P140 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit, interface

Otros transistores... RT3NUUM , RT3NVVM , RT3NWWM , RT3NXXM , RT3P11M , RT3P33M , RT3P55M , RT3P66M , 2SA1943 , RT3PDDM , RT3PEEM , RT3PFFM , RT3PRRM , RT3T11M , RT3T14M , RT3T22M , RT3T33M .

History: SD3960F

 

 
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