RT3PEEM Todos los transistores

 

RT3PEEM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3PEEM
   Código: PEE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 33
   Paquete / Cubierta: SC-88
 

 Búsqueda de reemplazo de RT3PEEM

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RT3PEEM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  isahaya
 rt3peem.pdf pdf_icon

RT3PEEM

RT3PEEM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION RT3PEEM is compound transistor built with two RT1P234 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit, interface

Otros transistores... RT3NWWM , RT3NXXM , RT3P11M , RT3P33M , RT3P55M , RT3P66M , RT3P77M , RT3PDDM , 2N3906 , RT3PFFM , RT3PRRM , RT3T11M , RT3T14M , RT3T22M , RT3T33M , RT3T66M , RT3T77M .

 

 
Back to Top

 


 
.