RT3T11M Todos los transistores

 

RT3T11M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3T11M
   Código: T11
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SC-88
 

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RT3T11M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  isahaya
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RT3T11M

PRELIMINARY RT3T11M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3T11M is compound transistor built with RT1N141 chip and RT1P141 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

 9.1. Size:235K  isahaya
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RT3T11M

PRELIMINARY RT3T14M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm 2.1 RT3T14M is composite transistor built with RT1N144 1.25 chip and RT1P144 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mountin

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History: GSRU10035 | PTB20167 | GT335A | 2SB1215 | 2SB1260-R | Q-15115C | GT115B

 

 
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