RT3TLLM Todos los transistores

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RT3TLLM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3TLLM

Código: TLL

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: SC-88

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RT3TLLM Datasheet (PDF)

1.1. rt3tllm.pdf Size:175K _upd

RT3TLLM
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PRELIMINARY RT3TLLM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit:mm RT3TLLM is compound transistor built with RT1N230 chip and RT1P230 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

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